Автор туралы ақпарат
Sirotkin, V. V.
| Шығарылым | Бөлім | Атауы | Файл |
| Том 52, № 5 (2023) | МОДЕЛИРОВАНИЕ | A Computer Investigation of the Effect of High-Resistance Layer Inhomogeneities on Resistive Switching in a Bismuth Selenide Microcrystal Structure |
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
atomic layer deposition
charge qubit
dissociation
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
Ағымдағы шығарылым
Том 54, № 2 (2025)
×
Пайдаланушы
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
atomic layer deposition
charge qubit
dissociation
etching
fluorine atoms
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
Ағымдағы шығарылым