The analysis of parametric interaction of space-charge waves in asymmetric thin-film semiconductor structures with negative differential conductivity. Part 1. The defining of model


Cite item

Full Text

Abstract

The mathematical model based on the early developed fundamental theory that allows to investigate the parametric interaction of space-charge waves in thin-film asymmetric semiconductor structures with a negative differential conductivity with taking into account the diffusion, frequency dispersion, anisotropy of electron differential mobility and real thin-film asymmetric semiconductor structures boundary conditions is offered.

About the authors

A I Mikhailov

S A Sergeev

References

  1. Перспективы интегральной электроники СВЧ / А.А. Барыбин [и др.] // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. Вып. 1. С. 3-19.
  2. Дин Р., Матарезе Р. Новый тип СВЧ-транзистора - усилитель бегущей волны на n-GaAs // ТИИЭР. 1972. Т. 60. № 12. С. 23-43.
  3. Kumabe K., Kanbe H. GaAs travelling-wave amplifier // Int. J. Electronics. 1985. Vol. 58. № 4. P. 587-611.
  4. Амплитудно-частотные характеристики приборов на волнах пространственного заряда с переменным сечением проводящего канала / М.А. Китаев [и др.] // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1990. Вып. 2 (426). С. 14-18.
  5. Михайлов А.И., Cеpгеев C.А. Параметричеcкое взаимодейcтвие волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых cтруктурах c отрицательной дифференциальной проводимоcтью // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38. № 10. С. 43-51.
  6. Михайлов А.И., Cеpгеев C.А. Преобразование частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 24. С. 75-78.
  7. Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ-диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). № 98116381/09; Опубл. 20.09.99. Бюл. № 26.
  8. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Горячев А.А. Интегрированный преобразователь частоты миллиметрового диапазона на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2000. Т. 43. № 2. С. 16-24.
  9. Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 5. С. 80-85.
  10. Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 21. С. 89-95.
  11. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-InP // Физика и технические приложения волновых процессов. II Международ. науч.-технич. конф.: тез. докл. Самара, 2003. С. 367.
  12. Сергеев С.А., Михайлов А.И., Сергеева Б.В. Перспективы нитрида галлия для устройств на волнах пространственного заряда // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды ХI международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2009. С. 26.
  13. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 2. С. 48-52.
  14. Барыбин А.А., Михайлов А.И., Клецов А.А. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1999. Т. 7. № 2. С. 88.
  15. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 6. С. 103-109.
  16. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Браташов Д.Н. Влияние параметров накачки на эффективность параметрической связи волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Перспективные направления развития электронного приборостроения. Материалы науч.- технич. конф. Саратов: ФГУП НПП «Контакт», 2003. С. 238-240.
  17. Alekseev E., Pavlidis D. Large-signal microwave performance of GaN-based NDR diode oscillators // Sol. St. Electron. 2000. № 44. P. 941-947.
  18. Lu J.T., Cao J.C. Terahertz generation and chaotic dynamics in GaN NDR diode // Semicond. Sci. Technol. 2004. Vol. 19. P. 451-456.
  19. Ruterana P., Albrecht M., Neugebauer J. Nitride Semiconductors. Handbook on Materials and Devices. Weinheim: WILEY-VCH, 2003. 664 p.
  20. Барыбин А.А., Степанова М.Г. Перенос мощности и энергетическая нормировка волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Изв. ЛЭТИ. 1991. Вып. 437. С. 61-64.
  21. Барыбин А.А. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. 288 с.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2010 Mikhailov A.I., Sergeev S.A.

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.