电邮这篇文章 Microwave dual class-E power amplifiers with switching-on resistance
- 作者: Baranov AV1
-
隶属关系:
- 期: 卷 14, 编号 1 (2011)
- 页面: 31-37
- 栏目: Articles
- URL: https://journals.ssau.ru/pwp/article/view/53445
- ID: 53445
如何引用文章
全文:
详细
The microwave dual class-E power amplifier with a switching-on resistance is investigated. The input values (output power P, drain supply voltage and switching-on resistance are combined into one parameter Then, the drain efficiency, maximum frequency of class-E operation and optimum component values for a loss class-E dual amplifier are solved by means of parameter k. It has been proved that there is a maximum value for switch losses that can be accepted in order to operate in the class-E mode. The validation simulation and experimental results show satisfactory match with the calculated values.
参考
- Switched-mode high-efficiency microwave power amplifiers in a free-space power-combiner array / T.B. Mader [et al.] // IEEE Trans. on MTT. 1998. V. 46. № 10. P. 1391-1398.
- Крыжановский В.Г. Транзисторные усилители с высоким КПД. Донецк: Апекс, 2004. 448 с.
- Баранов А.В. Проектирование СВЧ-усилителей большой мощности в классе «Е» // Радиотехника. 2006. № 12. С. 65-70.
- Баранов А.В. Дуальные СВЧ-усилители мощности в классе «Е» // Радиотехника. 2007. № 3. С. 71-78.
- Raab F.H., Sokal N.O. Transistor power losses in the class E tuned power amplifiers // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1978. V. SC-13. № 6. P. 912-914.
- Kessler D.J., Kazimierczuk M.K. Power losses and efficiency of class E RF power amplifiers at any duty cycle // Proceedings of the IEEE International Symposium on Circuits and Systems ISCAS. Sidney, Australia. 2001. V. 2. P. 533-536.
- Wang C., Larson L.E., Asbeck P.M. Improved design technique of microwave class E power amplifier with finite switching-on resistance // Proceedings of the Radio and Wireless Conference, IEEE RAWCON. 2002. P. 241-244.
- Alinikula P. Optimum component values for a lossy class E power amplifier // IEEE MTT-S Int. Microwave Symposium Digest. Piscataway, NJ, USA. 2003. V. 3. P. 2145-2148.
- Вильмицкий Д.С., Девятков Г.Н. Математическая модель идеального устройства класса Е // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2010. Вып. 3. С. 16-25.
- Патент РФ на изобретение № 2306667 МПК H03 F 3/193. Ключевой усилитель мощности / Баранов А.В. Опуб. 20.09.2007, БИ № 26.
- Баранов А.В. Дуальные СВЧ-усилители повышенной мощности в классе Е // Радиотехника. 2008. № 12. С. 34-39.
- Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap 6. М.: Горячая линия - Телеком, 2001.
补充文件
